BSC0911NDATMA1 vs BSC0501NSIATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC0911NDATMA1 por Infineon y BSC0501NSIATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC0911NDATMA1 BSC0501NSIATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,46 $0,65
Manufacturer Infineon Technologies Infineon
Product Family OptiMOS 25V OptiMOS 5 25V/30V
Configuration Dual N-Channel (2 N-CH) —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) 18 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 30 A [DATA_NEEDED: IDM]
Power Dissipation (PD) 1 W —
Encapsulado PG-TISON-8 (8-PowerTDFN) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de funcionamiento -55C to +150C (junction) —
Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
Technology OptiMOS trench MOSFET Trench-gate OptiMOS 5
Gate Threshold (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
RDS(on) max @ VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] [DATA_NEEDED: Qg typical]
Estado RoHS Compliant Compliant
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 29 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Power Dissipation at Ta (PD) — 2.5 W
Power Dissipation at Tc (PD) — 50 W
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at 10V VGS]
Temperatura de unión de funcionamiento — -55C to +150C
Avalanche Rated — Yes

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