BSC0911NDATMA1 vs BSC0501NSIATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC0911NDATMA1 por Infineon e BSC0501NSIATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC0911NDATMA1 BSC0501NSIATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,46 $0,65
Manufacturer Infineon Technologies Infineon
Product Family OptiMOS 25V OptiMOS 5 25V/30V
Configuration Dual N-Channel (2 N-CH) —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) 18 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 30 A [DATA_NEEDED: IDM]
Power Dissipation (PD) 1 W —
Encapsulamento PG-TISON-8 (8-PowerTDFN) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação -55C to +150C (junction) —
Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
Technology OptiMOS trench MOSFET Trench-gate OptiMOS 5
Gate Threshold (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
RDS(on) max @ VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] [DATA_NEEDED: Qg typical]
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 29 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Power Dissipation at Ta (PD) — 2.5 W
Power Dissipation at Tc (PD) — 50 W
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at 10V VGS]
Temperatura de junção de operação — -55C to +150C
Avalanche Rated — Yes

Fichas técnicas e recursos

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