BSC0911NDATMA1 vs BSC0501NSIATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC0911NDATMA1 par Infineon et BSC0501NSIATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC0911NDATMA1 BSC0501NSIATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,46 $0,65
Manufacturer Infineon Technologies Infineon
Product Family OptiMOS 25V OptiMOS 5 25V/30V
Configuration Dual N-Channel (2 N-CH) —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) 18 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 30 A [DATA_NEEDED: IDM]
Power Dissipation (PD) 1 W —
Boîtier PG-TISON-8 (8-PowerTDFN) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55C to +150C (junction) —
Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
Technology OptiMOS trench MOSFET Trench-gate OptiMOS 5
Gate Threshold (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
RDS(on) max @ VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] [DATA_NEEDED: Qg typical]
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 29 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Power Dissipation at Ta (PD) — 2.5 W
Power Dissipation at Tc (PD) — 50 W
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at 10V VGS]
Température de jonction en fonctionnement — -55C to +150C
Avalanche Rated — Yes

Fiches techniques et ressources

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