BSC0921NDIATMA1 vs BSC014N04LSATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC0921NDIATMA1 von Infineon und BSC014N04LSATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC0921NDIATMA1 BSC014N04LSATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,68 $0,74
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology OptiMOS 25V (N-channel) Trench (OptiMOS 5, thin-wafer)
Configuration Dual N-Channel MOSFET Array —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) 17 A (per channel) —
Pulsed Drain Current (IDM) 31 A (per channel, package-limited) —
Total Power Dissipation (PD) 1 W —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V/4.5V] —
Gate Charge (Qg) Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic) —
Output Charge (Qoss) Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic) —
Gehäuse PG-TISON-8 (8-pin, exposed pad) SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55C to +150C (junction) —
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level 1 (per Infineon OptiMOS family) 1 (unlimited)
Primary Application Synchronous buck converters, VRMs, POL regulators —
Series — OptiMOS 5
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 32 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
RDS(on) max at VGS=10 V — 1.4 mOhm
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 96 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — 20 V
Betriebstemperaturbereich — -55C to +175C

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