BSC0921NDIATMA1 vs BSC014N04LSATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSC0921NDIATMA1 par Infineon et BSC014N04LSATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSC0921NDIATMA1 | BSC014N04LSATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,68 | $0,74 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Technology | OptiMOS 25V (N-channel) | Trench (OptiMOS 5, thin-wafer) |
| Configuration | Dual N-Channel MOSFET Array | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 17 A (per channel) | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 31 A (per channel, package-limited) | — |
| Total Power Dissipation (PD) | 1 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V/4.5V] | — |
| Gate Charge (Qg) | Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic) | — |
| Output Charge (Qoss) | Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic) | — |
| Boîtier | PG-TISON-8 (8-pin, exposed pad) | SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | -55C to +150C (junction) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | 1 (per Infineon OptiMOS family) | 1 (unlimited) |
| Primary Application | Synchronous buck converters, VRMs, POL regulators | — |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 32 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| RDS(on) max at VGS=10 V | — | 1.4 mOhm |
| Power Dissipation at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 96 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | 20 V |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55C to +175C |