BSC0921NDIATMA1 vs BSC014N04LSATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC0921NDIATMA1 por Infineon e BSC014N04LSATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC0921NDIATMA1 BSC014N04LSATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,68 $0,74
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology OptiMOS 25V (N-channel) Trench (OptiMOS 5, thin-wafer)
Configuration Dual N-Channel MOSFET Array —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) 17 A (per channel) —
Pulsed Drain Current (IDM) 31 A (per channel, package-limited) —
Total Power Dissipation (PD) 1 W —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V/4.5V] —
Gate Charge (Qg) Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic) —
Output Charge (Qoss) Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic) —
Encapsulamento PG-TISON-8 (8-pin, exposed pad) SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação -55C to +150C (junction) —
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL 1 (per Infineon OptiMOS family) 1 (unlimited)
Primary Application Synchronous buck converters, VRMs, POL regulators —
Series — OptiMOS 5
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 32 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
RDS(on) max at VGS=10 V — 1.4 mOhm
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 96 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — 20 V
Faixa de temperatura de operação — -55C to +175C

Fichas técnicas e recursos

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