BSC093N15NS5ATMA1 vs BSC052N08NS5ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC093N15NS5ATMA1 von Infineon und BSC052N08NS5ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC093N15NS5ATMA1 BSC052N08NS5ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,83 $0,52
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology OptiMOS 5 150V OptiMOS 5
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 87 A —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V 9.3 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC 139 W —
Gehäuse SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-7) PG-TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm
Montageart Surface Mount Surface Mount
Gate Drive Voltage (VGS) Recommended 10 V —
Betriebstemperaturbereich [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] —
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (unlimited)
Halogenfrei [DATA_NEEDED: halogen free status] —
Part Number — BSC052N08NS5ATMA1
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 95 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 5.2 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.5-3.0 V
Total Power Dissipation (Tc) — 83 W
Total Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55C to +150C

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern