BSC093N15NS5ATMA1 vs BSC052N08NS5ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC093N15NS5ATMA1 par Infineon et BSC052N08NS5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC093N15NS5ATMA1 BSC052N08NS5ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,83 $0,52
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology OptiMOS 5 150V OptiMOS 5
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 87 A —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V 9.3 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC 139 W —
Boîtier SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-7) PG-TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Gate Drive Voltage (VGS) Recommended 10 V —
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] —
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (unlimited)
Sans halogène [DATA_NEEDED: halogen free status] —
Part Number — BSC052N08NS5ATMA1
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 95 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 5.2 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.5-3.0 V
Total Power Dissipation (Tc) — 83 W
Total Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Température de jonction en fonctionnement — -55C to +150C

Fiches techniques et ressources

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