BSC093N15NS5ATMA1 vs BSC052N08NS5ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC093N15NS5ATMA1 por Infineon e BSC052N08NS5ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC093N15NS5ATMA1 BSC052N08NS5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,83 $0,52
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology OptiMOS 5 150V OptiMOS 5
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 87 A —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V 9.3 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC 139 W —
Encapsulamento SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-7) PG-TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Gate Drive Voltage (VGS) Recommended 10 V —
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] —
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (unlimited)
Livre de halogênio [DATA_NEEDED: halogen free status] —
Part Number — BSC052N08NS5ATMA1
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 95 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 5.2 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.5-3.0 V
Total Power Dissipation (Tc) — 83 W
Total Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Temperatura de junção de operação — -55C to +150C

Fichas técnicas e recursos

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