BSC0993NDATMA1 vs BSC030N03MSGATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC0993NDATMA1 von Infineon und BSC030N03MSGATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC0993NDATMA1 BSC030N03MSGATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,32 $0,43
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series OptiMOS 5 30V —
Configuration Dual N-Channel (Array) —
Drain-Source Voltage (Vds) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Ta 17 A —
Gehäuse PG-TISON-8 PG-TDSON-8-1 (SuperSO8, 8-pin, exposed pad)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 trench MOSFET MOSFET (Metal Oxide)
Channel Mode Enhancement —
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C (junction) —
ESD Protection Yes (integrated) —
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL level] —
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Rds(on) max @ Vgs=10V [DATA_NEEDED: Rds(on) value] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Series — OptiMOS 3M
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 21 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 100 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 3.0 mΩ (typical at VGS=10V)
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc=25°C — 69 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55°C to +150°C
Drive Voltage (Min/Max RDS(on)) — 4.5V / 10V
Status — Active

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