BSC0993NDATMA1 vs BSC030N03MSGATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC0993NDATMA1 par Infineon et BSC030N03MSGATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC0993NDATMA1 BSC030N03MSGATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,32 $0,43
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series OptiMOS 5 30V —
Configuration Dual N-Channel (Array) —
Drain-Source Voltage (Vds) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Ta 17 A —
Boîtier PG-TISON-8 PG-TDSON-8-1 (SuperSO8, 8-pin, exposed pad)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 trench MOSFET MOSFET (Metal Oxide)
Channel Mode Enhancement —
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C (junction) —
ESD Protection Yes (integrated) —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Rds(on) max @ Vgs=10V [DATA_NEEDED: Rds(on) value] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Series — OptiMOS 3M
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 21 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 100 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 3.0 mΩ (typical at VGS=10V)
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc=25°C — 69 W
Température de jonction en fonctionnement — -55°C to +150°C
Drive Voltage (Min/Max RDS(on)) — 4.5V / 10V
Status — Active

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