BSC0993NDATMA1 vs BSC030N03MSGATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC0993NDATMA1 por Infineon e BSC030N03MSGATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC0993NDATMA1 BSC030N03MSGATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,32 $0,43
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series OptiMOS 5 30V —
Configuration Dual N-Channel (Array) —
Drain-Source Voltage (Vds) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Ta 17 A —
Encapsulamento PG-TISON-8 PG-TDSON-8-1 (SuperSO8, 8-pin, exposed pad)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 trench MOSFET MOSFET (Metal Oxide)
Channel Mode Enhancement —
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C (junction) —
ESD Protection Yes (integrated) —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Rds(on) max @ Vgs=10V [DATA_NEEDED: Rds(on) value] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Series — OptiMOS 3M
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 21 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 100 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 3.0 mΩ (typical at VGS=10V)
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc=25°C — 69 W
Temperatura de junção de operação — -55°C to +150°C
Drive Voltage (Min/Max RDS(on)) — 4.5V / 10V
Status — Active

Fichas técnicas e recursos

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