BSC155N06NDATMA1 vs IPD5N25S3430ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC155N06NDATMA1 von Infineon und IPD5N25S3430ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC155N06NDATMA1 IPD5N25S3430ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,62 $0,39
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSC155N06NDATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (N-channel trench) OptiMOS (planar-trench)
Configuration Dual N-channel MOSFET array Single, 3-pin (2+Tab)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 20 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 20 A
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V 15.5 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Betriebstemperaturbereich -55 C to +175 C —
Gehäuse PG-TDSON-8-4 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Power Dissipation (Tc=25C) 50 W —
MSL-Level 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS-Status Compliant (Pb-free plating) ROHS3 Compliant
Lead-Free Plating Yes —
Shoot-Through Immunity Qgd/Qgs < 0.8 —
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 250 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 5 A
RDS(on) max @ VGS=10V — 430 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 3 V typ / 4 V max
Input Capacitance (Ciss) — 422 pF typical
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 41 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 °C to +175 °C
Automotive Qualification — AEC-Q101
Lead Finish — Matte Tin (lead-free)

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