BSC155N06NDATMA1 vs IPD5N25S3430ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC155N06NDATMA1 par Infineon et IPD5N25S3430ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC155N06NDATMA1 IPD5N25S3430ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,62 $0,39
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSC155N06NDATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (N-channel trench) OptiMOS (planar-trench)
Configuration Dual N-channel MOSFET array Single, 3-pin (2+Tab)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 20 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 20 A
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V 15.5 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Plage de température de fonctionnement -55 C to +175 C —
Boîtier PG-TDSON-8-4 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Power Dissipation (Tc=25C) 50 W —
Niveau MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Statut RoHS Compliant (Pb-free plating) ROHS3 Compliant
Lead-Free Plating Yes —
Shoot-Through Immunity Qgd/Qgs < 0.8 —
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 250 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 5 A
RDS(on) max @ VGS=10V — 430 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 3 V typ / 4 V max
Input Capacitance (Ciss) — 422 pF typical
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 41 W
Température de jonction en fonctionnement — -55 °C to +175 °C
Automotive Qualification — AEC-Q101
Lead Finish — Matte Tin (lead-free)

Fiches techniques et ressources

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