BSC155N06NDATMA1 vs IPD5N25S3430ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC155N06NDATMA1 por Infineon e IPD5N25S3430ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC155N06NDATMA1 IPD5N25S3430ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,62 $0,39
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSC155N06NDATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (N-channel trench) OptiMOS (planar-trench)
Configuration Dual N-channel MOSFET array Single, 3-pin (2+Tab)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 20 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 20 A
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V 15.5 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Faixa de temperatura de operação -55 C to +175 C —
Encapsulamento PG-TDSON-8-4 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Power Dissipation (Tc=25C) 50 W —
Nível MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Status RoHS Compliant (Pb-free plating) ROHS3 Compliant
Lead-Free Plating Yes —
Shoot-Through Immunity Qgd/Qgs < 0.8 —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 250 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 5 A
RDS(on) max @ VGS=10V — 430 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 3 V typ / 4 V max
Input Capacitance (Ciss) — 422 pF typical
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 41 W
Temperatura de junção de operação — -55 °C to +175 °C
Automotive Qualification — AEC-Q101
Lead Finish — Matte Tin (lead-free)

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação