BSC155N06NDATMA1 vs IPD5N25S3430ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC155N06NDATMA1 por Infineon y IPD5N25S3430ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC155N06NDATMA1 IPD5N25S3430ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,62 $0,39
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSC155N06NDATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (N-channel trench) OptiMOS (planar-trench)
Configuration Dual N-channel MOSFET array Single, 3-pin (2+Tab)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 20 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 20 A
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V 15.5 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 C to +175 C —
Encapsulado PG-TDSON-8-4 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Power Dissipation (Tc=25C) 50 W —
Nivel MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Estado RoHS Compliant (Pb-free plating) ROHS3 Compliant
Lead-Free Plating Yes —
Shoot-Through Immunity Qgd/Qgs < 0.8 —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 250 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 5 A
RDS(on) max @ VGS=10V — 430 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 3 V typ / 4 V max
Input Capacitance (Ciss) — 422 pF typical
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 41 W
Temperatura de unión de funcionamiento — -55 °C to +175 °C
Automotive Qualification — AEC-Q101
Lead Finish — Matte Tin (lead-free)

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