BSD214SNH6327XTSA1 vs BSS127H6327XTSA2 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSD214SNH6327XTSA1 von Infineon und BSS127H6327XTSA2 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSD214SNH6327XTSA1 BSS127H6327XTSA2
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,27 $0,03
FET Type N-Channel N-Channel SIPMOS, enhancement mode
Technology MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 20 V —
Continuous Drain Current (Id) at 25C 1.5 A —
Power Dissipation (Pd) at Ta 500 mW —
Gate Drive Voltage (Rds On rated) 2.5 V, 4.5 V —
Rds On (Max) @ Vgs=4.5V [DATA_NEEDED: Rds On at Vgs=4.5V] —
Rds On (Max) @ Vgs=2.5V [DATA_NEEDED: Rds On at Vgs=2.5V] —
Vgs(th) (typical) [DATA_NEEDED: Vgs threshold typical] —
Gehäuse SOT-363 (PG-SOT363-PO), 6-pin SOT-23-3 (PG-SOT23)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C (junction) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
Lead Plating Pb-free —
RoHS-Status Compliant Compliant (lead-free)
MSL-Level 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Standard Pack Quantity 3000 (Tape & Reel) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID) — 21 mA (Ta)
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4.5 V (logic level, rated)
On-State Resistance (RDS(on)) max — 500 ohm at ID = 21 mA
Total Power Dissipation (Ptot) — 500 mW (Ta)
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 C to +150 C
Pin-Anzahl — 3
dv/dt Rated — Yes
Halogenfrei — Yes, per IEC 61249-2-21

Datenblätter & Ressourcen

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