BSD214SNH6327XTSA1 vs BSS127H6327XTSA2 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSD214SNH6327XTSA1 par Infineon et BSS127H6327XTSA2 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSD214SNH6327XTSA1 BSS127H6327XTSA2
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,27 $0,03
FET Type N-Channel N-Channel SIPMOS, enhancement mode
Technology MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 20 V —
Continuous Drain Current (Id) at 25C 1.5 A —
Power Dissipation (Pd) at Ta 500 mW —
Gate Drive Voltage (Rds On rated) 2.5 V, 4.5 V —
Rds On (Max) @ Vgs=4.5V [DATA_NEEDED: Rds On at Vgs=4.5V] —
Rds On (Max) @ Vgs=2.5V [DATA_NEEDED: Rds On at Vgs=2.5V] —
Vgs(th) (typical) [DATA_NEEDED: Vgs threshold typical] —
Boîtier SOT-363 (PG-SOT363-PO), 6-pin SOT-23-3 (PG-SOT23)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C (junction) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
Lead Plating Pb-free —
Statut RoHS Compliant Compliant (lead-free)
Niveau MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Standard Pack Quantity 3000 (Tape & Reel) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID) — 21 mA (Ta)
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4.5 V (logic level, rated)
On-State Resistance (RDS(on)) max — 500 ohm at ID = 21 mA
Total Power Dissipation (Ptot) — 500 mW (Ta)
Température de jonction en fonctionnement — -55 C to +150 C
Nombre de broches — 3
dv/dt Rated — Yes
Sans halogène — Yes, per IEC 61249-2-21

Fiches techniques et ressources

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