BSD214SNH6327XTSA1 vs BSS127H6327XTSA2 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSD214SNH6327XTSA1 제조: Infineon 및 BSS127H6327XTSA2 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
BSD214SNH6327XTSA1 BSD214SNH6327XTSA1 - 20V N-Ch OptiMOS 1.5A | Infineon SOT-363

BSD214SNH6327XTSA1 - 20V N-Ch OptiMOS 1.5A | Infineon SOT-363

BSD214SNH6327XTSA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 BSD214SNH6327XTSA1 BSS127H6327XTSA2
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.27 $0.03
FET Type N-Channel N-Channel SIPMOS, enhancement mode
Technology MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 20 V —
Continuous Drain Current (Id) at 25C 1.5 A —
Power Dissipation (Pd) at Ta 500 mW —
Gate Drive Voltage (Rds On rated) 2.5 V, 4.5 V —
Rds On (Max) @ Vgs=4.5V [DATA_NEEDED: Rds On at Vgs=4.5V] —
Rds On (Max) @ Vgs=2.5V [DATA_NEEDED: Rds On at Vgs=2.5V] —
Vgs(th) (typical) [DATA_NEEDED: Vgs threshold typical] —
패키지 SOT-363 (PG-SOT363-PO), 6-pin SOT-23-3 (PG-SOT23)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 범위 -55C to +150C (junction) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
Lead Plating Pb-free —
RoHS 상태 Compliant Compliant (lead-free)
MSL 레벨 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Standard Pack Quantity 3000 (Tape & Reel) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID) — 21 mA (Ta)
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4.5 V (logic level, rated)
On-State Resistance (RDS(on)) max — 500 ohm at ID = 21 mA
Total Power Dissipation (Ptot) — 500 mW (Ta)
동작 접합 온도 — -55 C to +150 C
핀 수 — 3
dv/dt Rated — Yes
할로겐 프리 — Yes, per IEC 61249-2-21

데이터시트 & 자료

모든 제품 보기 BOM 생성 견적 요청