BSD214SNH6327XTSA1 vs BSS127H6327XTSA2 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSD214SNH6327XTSA1 por Infineon e BSS127H6327XTSA2 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSD214SNH6327XTSA1 BSS127H6327XTSA2
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,27 $0,03
FET Type N-Channel N-Channel SIPMOS, enhancement mode
Technology MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 20 V —
Continuous Drain Current (Id) at 25C 1.5 A —
Power Dissipation (Pd) at Ta 500 mW —
Gate Drive Voltage (Rds On rated) 2.5 V, 4.5 V —
Rds On (Max) @ Vgs=4.5V [DATA_NEEDED: Rds On at Vgs=4.5V] —
Rds On (Max) @ Vgs=2.5V [DATA_NEEDED: Rds On at Vgs=2.5V] —
Vgs(th) (typical) [DATA_NEEDED: Vgs threshold typical] —
Encapsulamento SOT-363 (PG-SOT363-PO), 6-pin SOT-23-3 (PG-SOT23)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C (junction) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
Lead Plating Pb-free —
Status RoHS Compliant Compliant (lead-free)
Nível MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Standard Pack Quantity 3000 (Tape & Reel) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID) — 21 mA (Ta)
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4.5 V (logic level, rated)
On-State Resistance (RDS(on)) max — 500 ohm at ID = 21 mA
Total Power Dissipation (Ptot) — 500 mW (Ta)
Temperatura de junção de operação — -55 C to +150 C
Contagem de pinos — 3
dv/dt Rated — Yes
Livre de halogênio — Yes, per IEC 61249-2-21

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação