BSD235CH6327XTSA1 vs BSC094N06LS5ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSD235CH6327XTSA1 von Infineon und BSC094N06LS5ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSD235CH6327XTSA1 BSC094N06LS5ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,12 $0,38
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS™ —
Configuration N+P complementary dual MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 20 V 60 V
N-Channel Continuous Drain Current (ID) 950 mA —
P-Channel Continuous Drain Current (ID) 530 mA (negative polarity) —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW —
Package Type PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS™ low-voltage OptiMOS™ 5 (logic-level)
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +150 °C (junction) —
Polarity N-channel + P-channel —
Channel Mode Enhancement —
RoHS-Status Compliant (lead-free) Compliant
MSL-Level 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
Pin-Anzahl 6 —
Part Number — BSC094N06LS5ATMA1
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 47 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
RDS(on) max at VGS=10 V — 9.4 mΩ
RDS(on) max at VGS=4.5 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typ]
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 36 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 °C to +150 °C
Gehäuse — PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6)

Datenblätter & Ressourcen

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