BSD235CH6327XTSA1 vs BSC094N06LS5ATMA1 比較

詳細な並列比較: BSD235CH6327XTSA1 メーカー: Infineon および BSC094N06LS5ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ BSD235CH6327XTSA1 BSC094N06LS5ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.12 $0.38
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS™ —
Configuration N+P complementary dual MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 20 V 60 V
N-Channel Continuous Drain Current (ID) 950 mA —
P-Channel Continuous Drain Current (ID) 530 mA (negative polarity) —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW —
Package Type PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS™ low-voltage OptiMOS™ 5 (logic-level)
動作温度範囲 -55 °C to +150 °C (junction) —
Polarity N-channel + P-channel —
Channel Mode Enhancement —
RoHS ステータス Compliant (lead-free) Compliant
MSLレベル 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
ピン数 6 —
Part Number — BSC094N06LS5ATMA1
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 47 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
RDS(on) max at VGS=10 V — 9.4 mΩ
RDS(on) max at VGS=4.5 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typ]
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 36 W
動作接合温度 — -55 °C to +150 °C
パッケージ — PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6)

データシート&リソース

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