BSD235CH6327XTSA1 vs BSC094N06LS5ATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок BSD235CH6327XTSA1 от Infineon и BSC094N06LS5ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
BSD235CH6327XTSA1 - 20V Complementary N+P MOSFET | Infineon OptiMOS™
BSD235CH6327XTSA1 ✓ АктивенInfineon
BSC094N06LS5ATMA1 - 60V 9.4mΩ 47A N-Channel OptiMOS 5 | Infineon
BSC094N06LS5ATMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | BSD235CH6327XTSA1 | BSC094N06LS5ATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,12 | $0,38 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS™ | — |
| Configuration | N+P complementary dual MOSFET | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 20 V | 60 V |
| N-Channel Continuous Drain Current (ID) | 950 mA | — |
| P-Channel Continuous Drain Current (ID) | 530 mA (negative polarity) | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) | 500 mW | — |
| Package Type | PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin) | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS™ low-voltage | OptiMOS™ 5 (logic-level) |
| Диапазон рабочих температур | -55 °C to +150 °C (junction) | — |
| Polarity | N-channel + P-channel | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| Статус RoHS | Compliant (lead-free) | Compliant |
| Уровень MSL | 1 | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Число выводов | 6 | — |
| Part Number | — | BSC094N06LS5ATMA1 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 47 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C | — | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM] |
| RDS(on) max at VGS=10 V | — | 9.4 mΩ |
| RDS(on) max at VGS=4.5 V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typ] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 36 W |
| Рабочая температура перехода | — | -55 °C to +150 °C |
| Корпус | — | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6) |