BSD235CH6327XTSA1 vs BSP88H6327XTSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSD235CH6327XTSA1 von Infineon und BSP88H6327XTSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSD235CH6327XTSA1 BSP88H6327XTSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,12 $0,21
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS™ —
Configuration N+P complementary dual MOSFET Single
Drain-to-Source Voltage (VDS) 20 V —
N-Channel Continuous Drain Current (ID) 950 mA —
P-Channel Continuous Drain Current (ID) 530 mA (negative polarity) —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW —
Package Type PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS™ low-voltage SIPMOS (planar enhancement mode)
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +150 °C (junction) —
Polarity N-channel + P-channel —
Channel Mode Enhancement —
RoHS-Status Compliant (lead-free) —
MSL-Level 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
Pin-Anzahl 6 —
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 240 V
Continuous Drain Current (ID) — 350 mA at Ta=25 C
Power Dissipation (PD) — 1.8 W at Ta=25 C
Gehäuse — PG-SOT223-4 (SOT-223-3)
On-State Resistance (RDS(on)) — 6 ohm typical at VGS=10 V
Betriebstemperatur — -55 C to +150 C
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Compliant
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Drain Tab Connection — SOT-223 tab is drain

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