BSD235CH6327XTSA1 vs BSP88H6327XTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSD235CH6327XTSA1 por Infineon e BSP88H6327XTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSD235CH6327XTSA1 BSP88H6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,12 $0,21
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS™ —
Configuration N+P complementary dual MOSFET Single
Drain-to-Source Voltage (VDS) 20 V —
N-Channel Continuous Drain Current (ID) 950 mA —
P-Channel Continuous Drain Current (ID) 530 mA (negative polarity) —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW —
Package Type PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS™ low-voltage SIPMOS (planar enhancement mode)
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +150 °C (junction) —
Polarity N-channel + P-channel —
Channel Mode Enhancement —
Status RoHS Compliant (lead-free) —
Nível MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
Contagem de pinos 6 —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 240 V
Continuous Drain Current (ID) — 350 mA at Ta=25 C
Power Dissipation (PD) — 1.8 W at Ta=25 C
Encapsulamento — PG-SOT223-4 (SOT-223-3)
On-State Resistance (RDS(on)) — 6 ohm typical at VGS=10 V
Temperatura de operação — -55 C to +150 C
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Compliant
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Drain Tab Connection — SOT-223 tab is drain

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação