BSD235CH6327XTSA1 vs BTS6133DAUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSD235CH6327XTSA1 von Infineon und BTS6133DAUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSD235CH6327XTSA1 BTS6133DAUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,12 $1,98
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS™ —
Configuration N+P complementary dual MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 20 V —
N-Channel Continuous Drain Current (ID) 950 mA —
P-Channel Continuous Drain Current (ID) 530 mA (negative polarity) —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW —
Package Type PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS™ low-voltage SIPMOS (N-channel MOSFET with control IC)
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +150 °C (junction) -40C to +150C
Polarity N-channel + P-channel —
Channel Mode Enhancement —
RoHS-Status Compliant (lead-free) Compliant
MSL-Level 1 3 (per JEDEC J-STD-020, typical for DPAK)
Pin-Anzahl 6 5
Part Number — BTS6133DAUMA1
Product Type — Smart High-Side Power Switch
Switch Configuration — 1:1 (single high-side)
Anzahl der Ausgänge — 1
Peak Drain Current — 41 A
Continuous Load Current — 8 A
Operating Voltage Range — [DATA_NEEDED: VBB operating range]
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 25C]
Gehäuse — PG-TO252-5-11 (DPAK-5)
Protection Features — Over-temperature, short-circuit, overload, under-voltage, over-voltage, current limitation
Diagnostic Feedback — Yes (status / fault pin)
AEC-Q100 Qualified — AEC-Q100 qualified (automotive grade)
Datasheet Document Size — 257 Kbytes (15 pages)

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