BSD235CH6327XTSA1 vs BTS6133DAUMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSD235CH6327XTSA1 por Infineon e BTS6133DAUMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSD235CH6327XTSA1 BTS6133DAUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,12 $1,98
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS™ —
Configuration N+P complementary dual MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 20 V —
N-Channel Continuous Drain Current (ID) 950 mA —
P-Channel Continuous Drain Current (ID) 530 mA (negative polarity) —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW —
Package Type PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS™ low-voltage SIPMOS (N-channel MOSFET with control IC)
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +150 °C (junction) -40C to +150C
Polarity N-channel + P-channel —
Channel Mode Enhancement —
Status RoHS Compliant (lead-free) Compliant
Nível MSL 1 3 (per JEDEC J-STD-020, typical for DPAK)
Contagem de pinos 6 5
Part Number — BTS6133DAUMA1
Product Type — Smart High-Side Power Switch
Switch Configuration — 1:1 (single high-side)
Número de saídas — 1
Peak Drain Current — 41 A
Continuous Load Current — 8 A
Operating Voltage Range — [DATA_NEEDED: VBB operating range]
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 25C]
Encapsulamento — PG-TO252-5-11 (DPAK-5)
Protection Features — Over-temperature, short-circuit, overload, under-voltage, over-voltage, current limitation
Diagnostic Feedback — Yes (status / fault pin)
AEC-Q100 Qualified — AEC-Q100 qualified (automotive grade)
Datasheet Document Size — 257 Kbytes (15 pages)

Fichas técnicas e recursos

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