BSD235CH6327XTSA1 vs BTS6133DAUMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSD235CH6327XTSA1 por Infineon y BTS6133DAUMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSD235CH6327XTSA1 BTS6133DAUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,12 $1,98
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS™ —
Configuration N+P complementary dual MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 20 V —
N-Channel Continuous Drain Current (ID) 950 mA —
P-Channel Continuous Drain Current (ID) 530 mA (negative polarity) —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW —
Package Type PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS™ low-voltage SIPMOS (N-channel MOSFET with control IC)
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +150 °C (junction) -40C to +150C
Polarity N-channel + P-channel —
Channel Mode Enhancement —
Estado RoHS Compliant (lead-free) Compliant
Nivel MSL 1 3 (per JEDEC J-STD-020, typical for DPAK)
Recuento de pines 6 5
Part Number — BTS6133DAUMA1
Product Type — Smart High-Side Power Switch
Switch Configuration — 1:1 (single high-side)
Número de salidas — 1
Peak Drain Current — 41 A
Continuous Load Current — 8 A
Operating Voltage Range — [DATA_NEEDED: VBB operating range]
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 25C]
Encapsulado — PG-TO252-5-11 (DPAK-5)
Protection Features — Over-temperature, short-circuit, overload, under-voltage, over-voltage, current limitation
Diagnostic Feedback — Yes (status / fault pin)
AEC-Q100 Qualified — AEC-Q100 qualified (automotive grade)
Datasheet Document Size — 257 Kbytes (15 pages)

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