BSP129H6327XTSA1 vs BSS127H6327XTSA2 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSP129H6327XTSA1 von Infineon und BSS127H6327XTSA2 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSP129H6327XTSA1 BSS127H6327XTSA2
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,30 $0,03
FET Type N-Channel, Depletion Mode N-Channel SIPMOS, enhancement mode
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 350 mA —
On-Resistance RDS(on) max 4.2 ohm (some sources 6 ohm) —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 1.8 W —
Gehäuse PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+Tab) SOT-23-3 (PG-SOT23)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55 C to +150 C (junction) —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Threshold Voltage VGS(off) [DATA_NEEDED: depletion threshold VGS(off)] —
dv/dt Ruggedness Yes (rated) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
RoHS-Status Compliant Compliant (lead-free)
Lead-Free Yes —
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Process Technology SIPMOS (vertical DMOS) —
Drain Terminal Tab (pin 4) —
Continuous Drain Current (ID) — 21 mA (Ta)
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4.5 V (logic level, rated)
On-State Resistance (RDS(on)) max — 500 ohm at ID = 21 mA
Total Power Dissipation (Ptot) — 500 mW (Ta)
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 C to +150 C
Pin-Anzahl — 3
dv/dt Rated — Yes
Halogenfrei — Yes, per IEC 61249-2-21

Datenblätter & Ressourcen

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