BSP129H6327XTSA1 vs BSS127H6327XTSA2 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSP129H6327XTSA1 par Infineon et BSS127H6327XTSA2 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
BSP129H6327XTSA1 - 240V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon | SOT-223
BSP129H6327XTSA1 ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSP129H6327XTSA1 | BSS127H6327XTSA2 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,30 | $0,03 |
| FET Type | N-Channel, Depletion Mode | N-Channel SIPMOS, enhancement mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 240 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 350 mA | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 4.2 ohm (some sources 6 ohm) | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 1.8 W | — |
| Boîtier | PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+Tab) | SOT-23-3 (PG-SOT23) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | -55 C to +150 C (junction) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Threshold Voltage VGS(off) | [DATA_NEEDED: depletion threshold VGS(off)] | — |
| dv/dt Ruggedness | Yes (rated) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant (lead-free) |
| Lead-Free | Yes | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Process Technology | SIPMOS (vertical DMOS) | — |
| Drain Terminal | Tab (pin 4) | — |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 21 mA (Ta) |
| Pulsed Drain Current (ID,pulse) | — | [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 4.5 V (logic level, rated) |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | — | 500 ohm at ID = 21 mA |
| Total Power Dissipation (Ptot) | — | 500 mW (Ta) |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55 C to +150 C |
| Nombre de broches | — | 3 |
| dv/dt Rated | — | Yes |
| Sans halogène | — | Yes, per IEC 61249-2-21 |