BSP129H6327XTSA1 vs BSS127H6327XTSA2 比較

詳細な並列比較: BSP129H6327XTSA1 メーカー: Infineon および BSS127H6327XTSA2 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327XTSA2 - 600V N-Ch MOSFET, 21mA, SOT-23 | Infineon

BSS127H6327XTSA2 - 600V N-Ch MOSFET, 21mA, SOT-23 | Infineon

BSS127H6327XTSA2 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSP129H6327XTSA1 BSS127H6327XTSA2
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.30 $0.03
FET Type N-Channel, Depletion Mode N-Channel SIPMOS, enhancement mode
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 350 mA —
On-Resistance RDS(on) max 4.2 ohm (some sources 6 ohm) —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 1.8 W —
パッケージ PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+Tab) SOT-23-3 (PG-SOT23)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度 -55 C to +150 C (junction) —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Threshold Voltage VGS(off) [DATA_NEEDED: depletion threshold VGS(off)] —
dv/dt Ruggedness Yes (rated) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
RoHS ステータス Compliant Compliant (lead-free)
Lead-Free Yes —
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Process Technology SIPMOS (vertical DMOS) —
Drain Terminal Tab (pin 4) —
Continuous Drain Current (ID) — 21 mA (Ta)
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4.5 V (logic level, rated)
On-State Resistance (RDS(on)) max — 500 ohm at ID = 21 mA
Total Power Dissipation (Ptot) — 500 mW (Ta)
動作接合温度 — -55 C to +150 C
ピン数 — 3
dv/dt Rated — Yes
ハロゲンフリー — Yes, per IEC 61249-2-21

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