BSP129H6327XTSA1 vs BSS127H6327XTSA2 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSP129H6327XTSA1 por Infineon e BSS127H6327XTSA2 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSP129H6327XTSA1 BSS127H6327XTSA2
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,30 $0,03
FET Type N-Channel, Depletion Mode N-Channel SIPMOS, enhancement mode
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 350 mA —
On-Resistance RDS(on) max 4.2 ohm (some sources 6 ohm) —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 1.8 W —
Encapsulamento PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+Tab) SOT-23-3 (PG-SOT23)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação -55 C to +150 C (junction) —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Threshold Voltage VGS(off) [DATA_NEEDED: depletion threshold VGS(off)] —
dv/dt Ruggedness Yes (rated) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
Status RoHS Compliant Compliant (lead-free)
Lead-Free Yes —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Process Technology SIPMOS (vertical DMOS) —
Drain Terminal Tab (pin 4) —
Continuous Drain Current (ID) — 21 mA (Ta)
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4.5 V (logic level, rated)
On-State Resistance (RDS(on)) max — 500 ohm at ID = 21 mA
Total Power Dissipation (Ptot) — 500 mW (Ta)
Temperatura de junção de operação — -55 C to +150 C
Contagem de pinos — 3
dv/dt Rated — Yes
Livre de halogênio — Yes, per IEC 61249-2-21

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação