BSP295H6327XTSA1 vs IRFL4315TRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSP295H6327XTSA1 von Infineon und IRFL4315TRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSP295H6327XTSA1 IRFL4315TRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,35 $0,39
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) max 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25 °C 1.8 A —
Power Dissipation (PD) at Ta=25 °C 1.8 W —
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max 300 mΩ —
Gehäuse PG-SOT223-4 (3 leads + tab) SOT-223
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +150 °C [DATA_NEEDED: T_J min/max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
RoHS-Status Compliant —
Tape and Reel Packing Code H6327 (7-inch reel) —
Channel Mode Enhancement —
Technology Planar N-channel MOSFET IR MOSFET™ (planar/HEXFET-style)
Drain Tab Connection Pin 4 (tab) —
FET Type — N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (V_DS) — 150 V
Continuous Drain Current (I_D) at 25°C — 2.6 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: I_DM rating]
R_DS(on) max at V_GS=10V — 185 mΩ
Gate Threshold Voltage V_GS(th) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typ/min/max]
Total Gate Charge Q_G — 12 nC
Gate-to-Source Voltage V_GS — ±30 V (max)
Continuous Source Current (Body Diode I_S) — 1.6 A
di/dt (Body Diode) — 230 A/μs
Power Dissipation (Ta) — 2.8 W
Qualification Standard — Industrial market (per Infineon datasheet)
Lead-Free / RoHS — Lead-free (PBF suffix); RoHS compliant
Packaging — Tape & Reel (TRPBF)

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