BSP295H6327XTSA1 vs IRFL4315TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSP295H6327XTSA1 por Infineon e IRFL4315TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSP295H6327XTSA1 IRFL4315TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,35 $0,39
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) max 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25 °C 1.8 A —
Power Dissipation (PD) at Ta=25 °C 1.8 W —
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max 300 mΩ —
Encapsulamento PG-SOT223-4 (3 leads + tab) SOT-223
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +150 °C [DATA_NEEDED: T_J min/max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
Status RoHS Compliant —
Tape and Reel Packing Code H6327 (7-inch reel) —
Channel Mode Enhancement —
Technology Planar N-channel MOSFET IR MOSFET™ (planar/HEXFET-style)
Drain Tab Connection Pin 4 (tab) —
FET Type — N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (V_DS) — 150 V
Continuous Drain Current (I_D) at 25°C — 2.6 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: I_DM rating]
R_DS(on) max at V_GS=10V — 185 mΩ
Gate Threshold Voltage V_GS(th) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typ/min/max]
Total Gate Charge Q_G — 12 nC
Gate-to-Source Voltage V_GS — ±30 V (max)
Continuous Source Current (Body Diode I_S) — 1.6 A
di/dt (Body Diode) — 230 A/μs
Power Dissipation (Ta) — 2.8 W
Qualification Standard — Industrial market (per Infineon datasheet)
Lead-Free / RoHS — Lead-free (PBF suffix); RoHS compliant
Packaging — Tape & Reel (TRPBF)

Fichas técnicas e recursos

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