BSP295H6327XTSA1 vs IRFL4315TRPBF 비교
다음의 상세 나란히 비교: BSP295H6327XTSA1 제조: Infineon 및 IRFL4315TRPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | BSP295H6327XTSA1 | IRFL4315TRPBF |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.35 | $0.39 |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25 °C | 1.8 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25 °C | 1.8 W | — |
| Drain-Source On-Resistance RDS(on) max | 300 mΩ | — |
| 패키지 | PG-SOT223-4 (3 leads + tab) | SOT-223 |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 범위 | -55 °C to +150 °C | [DATA_NEEDED: T_J min/max] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | — |
| Qualification | AEC-Q101 (Automotive) | — |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| Tape and Reel Packing Code | H6327 (7-inch reel) | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| Technology | Planar N-channel MOSFET | IR MOSFET™ (planar/HEXFET-style) |
| Drain Tab Connection | Pin 4 (tab) | — |
| FET Type | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (V_DS) | — | 150 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at 25°C | — | 2.6 A |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | — | [DATA_NEEDED: I_DM rating] |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 185 mΩ |
| Gate Threshold Voltage V_GS(th) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typ/min/max] |
| Total Gate Charge Q_G | — | 12 nC |
| Gate-to-Source Voltage V_GS | — | ±30 V (max) |
| Continuous Source Current (Body Diode I_S) | — | 1.6 A |
| di/dt (Body Diode) | — | 230 A/μs |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.8 W |
| Qualification Standard | — | Industrial market (per Infineon datasheet) |
| Lead-Free / RoHS | — | Lead-free (PBF suffix); RoHS compliant |
| Packaging | — | Tape & Reel (TRPBF) |