BSP78HUMA1 vs BTS3011TEATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSP78HUMA1 von Infineon und BTS3011TEATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSP78HUMA1 BTS3011TEATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,62 $0,51
Technology Smart SIPMOS (N-channel vertical power FET) —
Funktion Self-protected low-side power switch —
Operating Supply Voltage (Vbb) 4.5 V to 42 V —
Continuous Load Current Up to 3 A 10 A
On-state Resistance (Rds(on)) 200 mΩ typical —
Input Logic Level Logic-level (3.3 V / 5 V compatible) —
Current Limitation Yes (internal) —
Thermisches Abschalten Yes (with auto-restart) —
Overvoltage Protection Yes (load-dump tolerant) —
Short-circuit Protection Yes —
Overload Protection Yes —
ESD Protection Yes (on input pin) —
Diagnostic Output Open-drain status flag Open-drain status feedback pin
Betriebs-Sperrschichttemperatur -40 °C to +150 °C -40 °C to +150 °C
Gehäuse PG-SOT223-4 (TO-261-4) with exposed tab PG-TO252-5 (DPAK-5)
Montageart Surface Mount Surface Mount
AEC-Q100 Qualification Qualified Grade 1 qualified
RoHS-Status Compliant (Green product) Compliant
Product Type — Smart Low-Side Power Switch
Number of Channels — 1
On-Resistance R_DS(on) (typ.) — 11 mΩ
Operating Voltage Range — 3 V to 28 V
Switch Technology — N-channel vertical power MOSFET
Input Type — Logic-level CMOS compatible
Anzahl der Pins — 5 (4 + Tab)
ESD Protection (HBM) — ±8 kV (output pin)
Integrated Protections — Current limit, overtemperature shutdown, overvoltage clamp, ESD, ground-loss protection

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern