BSP78HUMA1 vs BTS3011TEATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSP78HUMA1 par Infineon et BTS3011TEATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSP78HUMA1 BTS3011TEATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,62 $0,51
Technology Smart SIPMOS (N-channel vertical power FET) —
Fonction Self-protected low-side power switch —
Operating Supply Voltage (Vbb) 4.5 V to 42 V —
Continuous Load Current Up to 3 A 10 A
On-state Resistance (Rds(on)) 200 mΩ typical —
Input Logic Level Logic-level (3.3 V / 5 V compatible) —
Current Limitation Yes (internal) —
Arrêt thermique Yes (with auto-restart) —
Overvoltage Protection Yes (load-dump tolerant) —
Short-circuit Protection Yes —
Overload Protection Yes —
ESD Protection Yes (on input pin) —
Diagnostic Output Open-drain status flag Open-drain status feedback pin
Température de jonction en fonctionnement -40 °C to +150 °C -40 °C to +150 °C
Boîtier PG-SOT223-4 (TO-261-4) with exposed tab PG-TO252-5 (DPAK-5)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
AEC-Q100 Qualification Qualified Grade 1 qualified
Statut RoHS Compliant (Green product) Compliant
Product Type — Smart Low-Side Power Switch
Number of Channels — 1
On-Resistance R_DS(on) (typ.) — 11 mΩ
Operating Voltage Range — 3 V to 28 V
Switch Technology — N-channel vertical power MOSFET
Input Type — Logic-level CMOS compatible
Nombre de broches — 5 (4 + Tab)
ESD Protection (HBM) — ±8 kV (output pin)
Integrated Protections — Current limit, overtemperature shutdown, overvoltage clamp, ESD, ground-loss protection

Fiches techniques et ressources

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