BSP78HUMA1 vs BTS3011TEATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSP78HUMA1 por Infineon y BTS3011TEATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSP78HUMA1 BTS3011TEATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,62 $0,51
Technology Smart SIPMOS (N-channel vertical power FET) —
Función Self-protected low-side power switch —
Operating Supply Voltage (Vbb) 4.5 V to 42 V —
Continuous Load Current Up to 3 A 10 A
On-state Resistance (Rds(on)) 200 mΩ typical —
Input Logic Level Logic-level (3.3 V / 5 V compatible) —
Current Limitation Yes (internal) —
Apagado térmico Yes (with auto-restart) —
Overvoltage Protection Yes (load-dump tolerant) —
Short-circuit Protection Yes —
Overload Protection Yes —
ESD Protection Yes (on input pin) —
Diagnostic Output Open-drain status flag Open-drain status feedback pin
Temperatura de unión de funcionamiento -40 °C to +150 °C -40 °C to +150 °C
Encapsulado PG-SOT223-4 (TO-261-4) with exposed tab PG-TO252-5 (DPAK-5)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
AEC-Q100 Qualification Qualified Grade 1 qualified
Estado RoHS Compliant (Green product) Compliant
Product Type — Smart Low-Side Power Switch
Number of Channels — 1
On-Resistance R_DS(on) (typ.) — 11 mΩ
Operating Voltage Range — 3 V to 28 V
Switch Technology — N-channel vertical power MOSFET
Input Type — Logic-level CMOS compatible
Número de pines — 5 (4 + Tab)
ESD Protection (HBM) — ±8 kV (output pin)
Integrated Protections — Current limit, overtemperature shutdown, overvoltage clamp, ESD, ground-loss protection

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