BSP78HUMA1 vs BTS3011TEATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSP78HUMA1 제조: Infineon 및 BTS3011TEATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 BSP78HUMA1 BTS3011TEATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.62 $0.51
Technology Smart SIPMOS (N-channel vertical power FET) —
기능 Self-protected low-side power switch —
Operating Supply Voltage (Vbb) 4.5 V to 42 V —
Continuous Load Current Up to 3 A 10 A
On-state Resistance (Rds(on)) 200 mΩ typical —
Input Logic Level Logic-level (3.3 V / 5 V compatible) —
Current Limitation Yes (internal) —
열 차단 Yes (with auto-restart) —
Overvoltage Protection Yes (load-dump tolerant) —
Short-circuit Protection Yes —
Overload Protection Yes —
ESD Protection Yes (on input pin) —
Diagnostic Output Open-drain status flag Open-drain status feedback pin
동작 접합 온도 -40 °C to +150 °C -40 °C to +150 °C
패키지 PG-SOT223-4 (TO-261-4) with exposed tab PG-TO252-5 (DPAK-5)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
AEC-Q100 Qualification Qualified Grade 1 qualified
RoHS 상태 Compliant (Green product) Compliant
Product Type — Smart Low-Side Power Switch
Number of Channels — 1
On-Resistance R_DS(on) (typ.) — 11 mΩ
Operating Voltage Range — 3 V to 28 V
Switch Technology — N-channel vertical power MOSFET
Input Type — Logic-level CMOS compatible
핀 수 — 5 (4 + Tab)
ESD Protection (HBM) — ±8 kV (output pin)
Integrated Protections — Current limit, overtemperature shutdown, overvoltage clamp, ESD, ground-loss protection

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