BSP88H6327XTSA1 vs BSP316PH6327XTSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSP88H6327XTSA1 von Infineon und BSP316PH6327XTSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSP88H6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,21 $0,21
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V —
Continuous Drain Current (ID) 350 mA at Ta=25 C —
Power Dissipation (PD) 1.8 W at Ta=25 C —
Gehäuse PG-SOT223-4 (SOT-223-3) PG-SOT223-4 (TO-261-4)
Montageart Surface Mount Surface Mount
On-State Resistance (RDS(on)) 6 ohm typical at VGS=10 V —
Configuration Single —
Betriebstemperatur -55 C to +150 C —
Technology SIPMOS (planar enhancement mode) SIPMOS (P-channel MOSFET)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Lead Plating Pb-free —
RoHS Compliance Compliant —
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL level] 1
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Drain Tab Connection SOT-223 tab is drain —
FET Type — P-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — -680 mA
Total Power Dissipation (Ptot) at TA=25C — 1.8 W
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Betriebstemperaturbereich — -55 C to +150 C (junction)
Anzahl der Pins — 3 + thermal tab
Channel Mode — Enhancement
RoHS-Status — Compliant
Packaging — Tape & Reel (H6327 suffix)

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