BSP88H6327XTSA1 vs BSP316PH6327XTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSP88H6327XTSA1 por Infineon e BSP316PH6327XTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSP88H6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,21 $0,21
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V —
Continuous Drain Current (ID) 350 mA at Ta=25 C —
Power Dissipation (PD) 1.8 W at Ta=25 C —
Encapsulamento PG-SOT223-4 (SOT-223-3) PG-SOT223-4 (TO-261-4)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
On-State Resistance (RDS(on)) 6 ohm typical at VGS=10 V —
Configuration Single —
Temperatura de operação -55 C to +150 C —
Technology SIPMOS (planar enhancement mode) SIPMOS (P-channel MOSFET)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Lead Plating Pb-free —
RoHS Compliance Compliant —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Drain Tab Connection SOT-223 tab is drain —
FET Type — P-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — -680 mA
Total Power Dissipation (Ptot) at TA=25C — 1.8 W
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Faixa de temperatura de operação — -55 C to +150 C (junction)
Número de pinos — 3 + thermal tab
Channel Mode — Enhancement
Status RoHS — Compliant
Packaging — Tape & Reel (H6327 suffix)

Fichas técnicas e recursos

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