BSP88H6327XTSA1 vs BSP316PH6327XTSA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSP88H6327XTSA1 por Infineon y BSP316PH6327XTSA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSP88H6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,21 $0,21
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V —
Continuous Drain Current (ID) 350 mA at Ta=25 C —
Power Dissipation (PD) 1.8 W at Ta=25 C —
Encapsulado PG-SOT223-4 (SOT-223-3) PG-SOT223-4 (TO-261-4)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
On-State Resistance (RDS(on)) 6 ohm typical at VGS=10 V —
Configuration Single —
Temperatura de funcionamiento -55 C to +150 C —
Technology SIPMOS (planar enhancement mode) SIPMOS (P-channel MOSFET)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Lead Plating Pb-free —
RoHS Compliance Compliant —
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Drain Tab Connection SOT-223 tab is drain —
FET Type — P-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — -680 mA
Total Power Dissipation (Ptot) at TA=25C — 1.8 W
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Rango de temperatura de funcionamiento — -55 C to +150 C (junction)
Número de pines — 3 + thermal tab
Channel Mode — Enhancement
Estado RoHS — Compliant
Packaging — Tape & Reel (H6327 suffix)

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