BSP88H6327XTSA1 vs BSP316PH6327XTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSP88H6327XTSA1 par Infineon et BSP316PH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSP88H6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,21 $0,21
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V —
Continuous Drain Current (ID) 350 mA at Ta=25 C —
Power Dissipation (PD) 1.8 W at Ta=25 C —
Boîtier PG-SOT223-4 (SOT-223-3) PG-SOT223-4 (TO-261-4)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
On-State Resistance (RDS(on)) 6 ohm typical at VGS=10 V —
Configuration Single —
Température de fonctionnement -55 C to +150 C —
Technology SIPMOS (planar enhancement mode) SIPMOS (P-channel MOSFET)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Lead Plating Pb-free —
RoHS Compliance Compliant —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Drain Tab Connection SOT-223 tab is drain —
FET Type — P-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — -680 mA
Total Power Dissipation (Ptot) at TA=25C — 1.8 W
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Plage de température de fonctionnement — -55 C to +150 C (junction)
Nombre de broches — 3 + thermal tab
Channel Mode — Enhancement
Statut RoHS — Compliant
Packaging — Tape & Reel (H6327 suffix)

Fiches techniques et ressources

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