BSS119NH6327XTSA1 vs BSS308PEH6327XTSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSS119NH6327XTSA1 von Infineon und BSS308PEH6327XTSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSS119NH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,12 $0,11
Transistortyp N-Channel MOSFET P-Channel Enhancement Mode MOSFET
FET Technology Enhancement-mode, planar N-channel —
Drain-Source Voltage (VDS) max 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 190 mA —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 500 mW —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 6 Ω (typical) [DATA_NEEDED: exact VGS condition and max value] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 0.8 V to 1.8 V (typical) [DATA_NEEDED: exact min/typ/max] [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Gate Drive Voltage (VGS) ±20 V max —
Gehäuse PG-SOT23 (SOT-23-3) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55°C to +150°C (TJ) [DATA_NEEDED: TA range from datasheet] -55 °C to +150 °C
Qualification AEC-Q101 (automotive grade) AEC-Q101 Automotive
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Packaging Tape & Reel (3,000 pcs/reel) Tape & Reel (T/R)
MSL-Level 1 [DATA_NEEDED: confirm from datasheet] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS P (small signal / small power MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) — -30 V
Continuous Drain Current (ID) — -2 A (Ta)
RDS(on) Max — 80 mΩ at VGS = -10 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — +/-20 V
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
Gehäuse / Bauform — PG-SOT23 (SOT-23-3)
Anzahl der Pins — 3
Standard Reel Quantity — 3000 pcs

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