BSS119NH6327XTSA1 vs BSS308PEH6327XTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSS119NH6327XTSA1 por Infineon e BSS308PEH6327XTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSS119NH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,12 $0,11
Tipo de transistor N-Channel MOSFET P-Channel Enhancement Mode MOSFET
FET Technology Enhancement-mode, planar N-channel —
Drain-Source Voltage (VDS) max 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 190 mA —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 500 mW —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 6 Ω (typical) [DATA_NEEDED: exact VGS condition and max value] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 0.8 V to 1.8 V (typical) [DATA_NEEDED: exact min/typ/max] [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Gate Drive Voltage (VGS) ±20 V max —
Encapsulamento PG-SOT23 (SOT-23-3) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55°C to +150°C (TJ) [DATA_NEEDED: TA range from datasheet] -55 °C to +150 °C
Qualification AEC-Q101 (automotive grade) AEC-Q101 Automotive
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Packaging Tape & Reel (3,000 pcs/reel) Tape & Reel (T/R)
Nível MSL 1 [DATA_NEEDED: confirm from datasheet] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS P (small signal / small power MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) — -30 V
Continuous Drain Current (ID) — -2 A (Ta)
RDS(on) Max — 80 mΩ at VGS = -10 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — +/-20 V
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
Encapsulamento / Caixa — PG-SOT23 (SOT-23-3)
Número de pinos — 3
Standard Reel Quantity — 3000 pcs

Fichas técnicas e recursos

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