BSS126H6327XTSA2 vs BSS119NH6327XTSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSS126H6327XTSA2 von Infineon und BSS119NH6327XTSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSS126H6327XTSA2 BSS119NH6327XTSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,32 $0,12
FET Type N-Channel Depletion Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 600 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 21 mA —
Power Dissipation (PD) at Ta 500 mW —
On-Resistance (RDS(on)) Max 500 ohm (typical for depletion-mode) —
Gate-Source Voltage (VGS) Range [DATA_NEEDED: VGS max/min] —
Technology SIPMOS (DMOS) —
Gehäuse SOT-23-3 (PG-SOT23) PG-SOT23 (SOT-23-3)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C (junction, typical) -55°C to +150°C (TJ) [DATA_NEEDED: TA range from datasheet]
Pin-Anzahl 3 —
Configuration Single —
Channel Mode Depletion (normally-on at VGS = 0) —
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 [DATA_NEEDED: confirm from datasheet]
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Halogenfrei Yes (Infineon 'green' package) —
Transistortyp — N-Channel MOSFET
FET Technology — Enhancement-mode, planar N-channel
Drain-Source Voltage (VDS) max — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 190 mA
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 500 mW
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 6 Ω (typical) [DATA_NEEDED: exact VGS condition and max value]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 0.8 V to 1.8 V (typical) [DATA_NEEDED: exact min/typ/max]
Gate Drive Voltage (VGS) — ±20 V max
Qualification — AEC-Q101 (automotive grade)
Packaging — Tape & Reel (3,000 pcs/reel)

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