BSS126H6327XTSA2 vs BSS119NH6327XTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSS126H6327XTSA2 por Infineon e BSS119NH6327XTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSS126H6327XTSA2 BSS119NH6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,32 $0,12
FET Type N-Channel Depletion Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 600 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 21 mA —
Power Dissipation (PD) at Ta 500 mW —
On-Resistance (RDS(on)) Max 500 ohm (typical for depletion-mode) —
Gate-Source Voltage (VGS) Range [DATA_NEEDED: VGS max/min] —
Technology SIPMOS (DMOS) —
Encapsulamento SOT-23-3 (PG-SOT23) PG-SOT23 (SOT-23-3)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C (junction, typical) -55°C to +150°C (TJ) [DATA_NEEDED: TA range from datasheet]
Contagem de pinos 3 —
Configuration Single —
Channel Mode Depletion (normally-on at VGS = 0) —
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 [DATA_NEEDED: confirm from datasheet]
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Livre de halogênio Yes (Infineon 'green' package) —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
FET Technology — Enhancement-mode, planar N-channel
Drain-Source Voltage (VDS) max — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 190 mA
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 500 mW
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 6 Ω (typical) [DATA_NEEDED: exact VGS condition and max value]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 0.8 V to 1.8 V (typical) [DATA_NEEDED: exact min/typ/max]
Gate Drive Voltage (VGS) — ±20 V max
Qualification — AEC-Q101 (automotive grade)
Packaging — Tape & Reel (3,000 pcs/reel)

Fichas técnicas e recursos

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