BSS126H6327XTSA2 vs BSS119NH6327XTSA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: BSS126H6327XTSA2 제조: Infineon 및 BSS119NH6327XTSA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | BSS126H6327XTSA2 | BSS119NH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.32 | $0.12 |
| FET Type | N-Channel Depletion Mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 21 mA | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 500 mW | — |
| On-Resistance (RDS(on)) Max | 500 ohm (typical for depletion-mode) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Range | [DATA_NEEDED: VGS max/min] | — |
| Technology | SIPMOS (DMOS) | — |
| 패키지 | SOT-23-3 (PG-SOT23) | PG-SOT23 (SOT-23-3) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 범위 | -55C to +150C (junction, typical) | -55°C to +150°C (TJ) [DATA_NEEDED: TA range from datasheet] |
| 핀 수 | 3 | — |
| Configuration | Single | — |
| Channel Mode | Depletion (normally-on at VGS = 0) | — |
| MSL 레벨 | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 [DATA_NEEDED: confirm from datasheet] |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| 할로겐 프리 | Yes (Infineon 'green' package) | — |
| 트랜지스터 유형 | — | N-Channel MOSFET |
| FET Technology | — | Enhancement-mode, planar N-channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 190 mA |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | — | 500 mW |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | — | 6 Ω (typical) [DATA_NEEDED: exact VGS condition and max value] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 0.8 V to 1.8 V (typical) [DATA_NEEDED: exact min/typ/max] |
| Gate Drive Voltage (VGS) | — | ±20 V max |
| Qualification | — | AEC-Q101 (automotive grade) |
| Packaging | — | Tape & Reel (3,000 pcs/reel) |