BSS126H6327XTSA2 vs BSS119NH6327XTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSS126H6327XTSA2 par Infineon et BSS119NH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSS126H6327XTSA2 BSS119NH6327XTSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,32 $0,12
FET Type N-Channel Depletion Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 600 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 21 mA —
Power Dissipation (PD) at Ta 500 mW —
On-Resistance (RDS(on)) Max 500 ohm (typical for depletion-mode) —
Gate-Source Voltage (VGS) Range [DATA_NEEDED: VGS max/min] —
Technology SIPMOS (DMOS) —
Boîtier SOT-23-3 (PG-SOT23) PG-SOT23 (SOT-23-3)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C (junction, typical) -55°C to +150°C (TJ) [DATA_NEEDED: TA range from datasheet]
Nombre de broches 3 —
Configuration Single —
Channel Mode Depletion (normally-on at VGS = 0) —
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 [DATA_NEEDED: confirm from datasheet]
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Sans halogène Yes (Infineon 'green' package) —
Type de transistor — N-Channel MOSFET
FET Technology — Enhancement-mode, planar N-channel
Drain-Source Voltage (VDS) max — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 190 mA
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 500 mW
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 6 Ω (typical) [DATA_NEEDED: exact VGS condition and max value]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 0.8 V to 1.8 V (typical) [DATA_NEEDED: exact min/typ/max]
Gate Drive Voltage (VGS) — ±20 V max
Qualification — AEC-Q101 (automotive grade)
Packaging — Tape & Reel (3,000 pcs/reel)

Fiches techniques et ressources

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