BSS127H6327XTSA2 vs BSD235CH6327XTSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSS127H6327XTSA2 von Infineon und BSD235CH6327XTSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSS127H6327XTSA2 BSD235CH6327XTSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,03 $0,12
FET Type N-Channel SIPMOS, enhancement mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID) 21 mA (Ta) —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4.5 V (logic level, rated) —
On-State Resistance (RDS(on)) max 500 ohm at ID = 21 mA —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW (Ta) 500 mW
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 C to +150 C —
Gehäuse SOT-23-3 (PG-SOT23) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Pin-Anzahl 3 6
dv/dt Rated Yes —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
RoHS-Status Compliant (lead-free) Compliant (lead-free)
Halogenfrei Yes, per IEC 61249-2-21 —
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS™
Configuration — N+P complementary dual MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 20 V
N-Channel Continuous Drain Current (ID) — 950 mA
P-Channel Continuous Drain Current (ID) — 530 mA (negative polarity)
Package Type — PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin)
Technology — OptiMOS™ low-voltage
Betriebstemperaturbereich — -55 °C to +150 °C (junction)
Polarity — N-channel + P-channel
Channel Mode — Enhancement

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